Depletion Region

释义 Definition

（半导体）耗尽区/空乏层：在 p-n 结附近，由于电子与空穴相互扩散并复合，导致可移动载流子显著减少，只剩下离化杂质离子（固定电荷）的一段区域。该区域形成内建电场，并随外加偏置而变宽或变窄。

发音 Pronunciation (IPA)

/dɪˈpliːʃən ˈriːdʒən/

例句 Examples

The depletion region becomes wider under reverse bias.
在反向偏置下，耗尽区会变宽。

In a p-n junction, the electric field across the depletion region largely determines the barrier potential and the junction capacitance.
在 p-n 结中，耗尽区内的电场在很大程度上决定了势垒电势和结电容。

词源 Etymology

depletion 来自 deplete（“耗尽、用尽”），表示“被耗空的状态”；region 表示“区域”。合起来指“载流子被耗空的区域”。在半导体语境中也常称为 space-charge region（空间电荷区） 或 depletion layer（耗尽层）。

相关词 Related Words

• Barrier Potential
• Built-In Potential
• Capacitance
• Carrier
• Diode
• Doping
• Electric Field
• Junction
• PN Junction
• Reverse Bias
• Space-Charge Region

文学与著作中的用例 Literary Works

• S. M. Sze & Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices（经典半导体器件教材，系统讨论 p-n 结与耗尽区）
• Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals（讲解耗尽近似、结电容与耗尽区宽度）
• Donald A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices（入门到中级常用教材，频繁使用 depletion region 概念）
• Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices（固体电子器件教材，二极管与结特性章节常出现该术语）